核心架构
质量分析器：四组四极杆（Q0+Q1+Universal Cell+Q2），MS/MS 串级模式
质量范围：0.3–295 amu，覆盖全元素及同位素
分辨率：化学高分辨（HR），0.1–2.0 amu 连续可调
检测器：脉冲 / 模拟双模式，线性范围 10⁻¹⁵～10⁷ ppm
2. 离子光学与干扰消除
Q0：高压离子偏转，零中性粒子进入，降低背景
Q1：预筛选四极杆，MS/MS 模式固定质量，精准过滤
Universal Cell：三气路（He/H₂/O₂），碰撞 / 反应 / 质量转移，彻底消除多原子干扰
Q2：高分辨四极杆，单位质量 / 高分辨双模式
3. 超净进样与基体耐受
采样 / 截取锥：超洁净耐 HF / 高盐大孔径锥，抗堵塞、低记忆效应
AMS：在线气体稀释，最高 200 倍，可处理 **≤35% TDS** 高盐样品
EDR：智能电子稀释，一次进样覆盖 10⁻¹⁵～10⁷ ppm
雾化室：超净惰性材质，低吸附、低残留
4. 等离子体与射频
射频发生器：34 MHz LumiCoil 风冷线圈，功率 400–1600 W，免维护
氩气消耗：8–10 L/min（1300 W）
炬管：水平安装，自动定位 ±0.05 mm，超净涂层
5. 关键性能
检出限：亚 ppt 级（Li、Be、B、Fe、Cu、Zn、As、Cd、Pb 等）
背景等效浓度（BEC）：≤0.1 ppt（典型元素）
稳定性：同位素比值 RSD ＜0.05%，长期漂移 ＜2%/8h
样品通量：＞4000 样品 / 月，维护时间 ＜0.5%
纳米颗粒：单颗粒（SP-ICP-MS）粒径 10–1000 nm，浓度 10⁶–10¹² particles/mL
6. 合规标准
满足 SEMI F63/F72、ICH Q3D、USP <232>、ISO 17294 等规范
半导体制造（核心）：
超纯水（UPW）、高纯酸碱 / 溶剂（HF、H₂SO₄、NH₄OH）金属杂质（≤0.1ppt）
晶圆表面金属污染（VPD-ICP-MS，Fe/Cu/Ni 低至 5×10⁸ atoms/cm²）- 光刻胶、CMP 浆料、特种气体痕量元素与纳米颗粒检测
- 先进制程（7nm/5nm/3nm）良率管控、SEMI Grade 5 合规
新能源锂电（超高纯）：
- 电池级碳酸锂 / 氢氧化锂、高纯钴 / 镍 / 锰盐中ppq–ppt 级杂质（Na/K/Ca/Fe/Cu）
- 电解液、隔膜、极箔表面超痕量金属与微污染物控制
高纯化工 / 电子化学品：
高纯试剂、特种气体、光伏材料、稀土化合物超痕量元素质控
医药 / 生物制药（高灵敏）：
- ICH Q3D/USP <232> 元素杂质超痕量筛查、生物制剂 / 单抗中金属残留
科研 / 前沿材料：
- 纳米材料、二维材料、高纯金属、同位素比值、地质 / 环境超痕量研究
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